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內(nèi)存墻 關(guān)鍵字列表
HBM研究框架：突破“內(nèi)存墻”，封裝新突破
HBM技術(shù)通過提升I/O口數(shù)量和速率，突破內(nèi)存限制，成為AI芯片的強(qiáng)大輔助。HBM3和HBM3e將成為AI服務(wù)器主流配置，預(yù)計(jì)HBM4將于2026年發(fā)布。全球HBM市場(chǎng)預(yù)計(jì)在2024年超百億美元。HBM采用TSV+Bumping和TCB鍵合方式，但散熱效率低下，海力士引入MR-MUF工藝改善。預(yù)計(jì)HBM4將采用混合鍵合Hybrid Bonding技術(shù)，3D封裝的核心是混合鍵合與TSV。
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