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HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對比

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對比

HBM（高帶寬存儲(chǔ)）是一種多層DRAM Die垂直堆疊的存儲(chǔ)技術(shù)，通過TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)高帶寬和小體積。

2023年NAND發(fā)展概況：層數(shù)增加，QLC改進(jìn)

2023年NAND發(fā)展概況：層數(shù)增加，QLC改進(jìn)

對于NAND閃存存儲(chǔ)來說，2023年可謂過山車般跌宕起伏的一年。

DRAM，速度很快：SK海力士邁向HBM3E領(lǐng)域

DRAM，速度很快：SK海力士邁向HBM3E領(lǐng)域

在美光第二代HBM3芯片亮相一個(gè)月后， SK海力士正在對一款HBM3E芯片進(jìn)行采樣。

洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗(yàn)室與SK海力士合作開發(fā)計(jì)算存儲(chǔ)SSD

洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗(yàn)室與SK海力士合作開發(fā)計(jì)算存儲(chǔ)SSD

洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗(yàn)室與SK海力士將在下周的閃存峰會(huì)上展示合作開發(fā)的計(jì)算存儲(chǔ)SSD，號(hào)稱能通過對鍵值存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的索引將模擬分析速度提升三個(gè)數(shù)量級(jí)。

官宣：SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，英特爾表示將更加關(guān)注差異化技術(shù)領(lǐng)域

官宣：SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，英特爾表示將更加關(guān)注差異化技術(shù)領(lǐng)域

SK海力士和英特爾在韓國時(shí)間10月20日共同宣布簽署收購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。

砰！SK海力士向企業(yè)SSD市場投下72層3D NAND重磅炸彈

砰！SK海力士向企業(yè)SSD市場投下72層3D NAND重磅炸彈

韓國閃存制造商大舉進(jìn)軍企業(yè)級(jí)SSD市場。