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數(shù)據(jù)中心內(nèi)存敏感型需求激增，英特爾至強(qiáng)6性能核引入了怎樣的新技術(shù)？
MRDIMM正在成為未來(lái)數(shù)據(jù)中心處理器的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
聚焦下一代高性能內(nèi)存技術(shù) Rambus多舉措加速HBM落地
Rambus半導(dǎo)體IP產(chǎn)品管理總監(jiān)Nidish Kamath在接受至頂網(wǎng)獨(dú)家專訪時(shí)表示，由于AI、機(jī)器學(xué)習(xí)和高性能計(jì)算應(yīng)用的普及，越來(lái)越需要HBM等高帶寬、低延遲的內(nèi)存解決方案。
洛斯·阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室希望通過(guò)“VENADO”超級(jí)計(jì)算機(jī)打破內(nèi)存墻
“Venado”超級(jí)計(jì)算機(jī)日前正式迎來(lái)啟動(dòng)剪彩儀式，其技術(shù)根基源自2021年4月英偉達(dá)宣布的第一項(xiàng)數(shù)據(jù)中心級(jí)ARM服務(wù)器CPU計(jì)劃。而Venado本體的構(gòu)建計(jì)劃則由洛斯·阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究員們于2022年5月公布，只是當(dāng)時(shí)的相關(guān)細(xì)節(jié)還無(wú)法滿足我們對(duì)于速度和饋送性能的大膽想象。
研究人員設(shè)計(jì)出比DDR5快30倍的3D DRAM
東京工業(yè)大學(xué)的科學(xué)家們?cè)O(shè)計(jì)出一種新型3D DRAM棧，其頂部配有處理器，可提供比高帶寬內(nèi)存（HBM）高出四倍的傳輸帶寬與僅五分之一的訪問(wèn)功耗。
Matter標(biāo)準(zhǔn)煥發(fā)智能家居新機(jī)遇，內(nèi)存成為決勝關(guān)鍵
如今，用戶對(duì)設(shè)備的使用體驗(yàn)、功能、外觀等要求正在變得越來(lái)越苛刻，這也使得智能家居市場(chǎng)的硬件性能開始飛速升級(jí)。而內(nèi)存芯片作為智能家居設(shè)備不可或缺的關(guān)鍵組成部分，在終端產(chǎn)品中也開始承擔(dān)更加重要的作用。
未來(lái)幾年，服務(wù)器DRAM將成為內(nèi)存市場(chǎng)中的核心主體
隨著數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)需求的持續(xù)增長(zhǎng)，以及同期消費(fèi)級(jí)設(shè)備受宏觀經(jīng)濟(jì)低迷的拖累，今年服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品在DRAM總銷售容量方面有望超越移動(dòng)設(shè)備內(nèi)存。
具有完美內(nèi)存帶寬的計(jì)算野獸，會(huì)是個(gè)什么樣子？
很多用例受內(nèi)存帶寬束縛久矣，相信不少朋友都被這方面問(wèn)題引發(fā)的應(yīng)用程序性能低下搞得頭痛欲裂。解決之道也分為兩條：用戶端可以認(rèn)真挑選芯片，保證在CPU核心與內(nèi)存帶寬的比例之間求取平衡；供應(yīng)端則由芯片制造商和系統(tǒng)集成商提供針對(duì)性改進(jìn)。
計(jì)算增強(qiáng)很容易，內(nèi)存升級(jí)卻越來(lái)越難
如果沒(méi)法以足夠快的速度獲取數(shù)據(jù)、以供計(jì)算引擎在特定時(shí)鐘周期內(nèi)完成特定數(shù)據(jù)處理操作，那再?gòu)?qiáng)的向量或矩陣單元浮點(diǎn)運(yùn)算性能又有啥用？很明顯，存儲(chǔ)跟不上，算力確實(shí)會(huì)后繼乏力。
全球第三季度存儲(chǔ)與內(nèi)存需求顯著下降，或?yàn)槌掷m(xù)修正期的正�，F(xiàn)象
暫時(shí)認(rèn)為2023年存儲(chǔ)設(shè)備的出貨容量應(yīng)該會(huì)有所增長(zhǎng)，但實(shí)際還是取決于市場(chǎng)能否在明年初順利復(fù)蘇。
聯(lián)想集團(tuán)引入全新自研標(biāo)準(zhǔn)，解決內(nèi)存RowHammer高危漏洞
2014年，卡內(nèi)基梅隆大學(xué)宣布發(fā)現(xiàn)一種存在于動(dòng)態(tài)隨機(jī)儲(chǔ)存器DRAM，也就是現(xiàn)代數(shù)字設(shè)備使用的內(nèi)存芯片上的漏洞。
HBM3內(nèi)存：向更高的帶寬突破
隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）的利用率越來(lái)越高，大量數(shù)據(jù)不斷被產(chǎn)生和消耗，這給數(shù)據(jù)中心快速而高效地存儲(chǔ)、移動(dòng)和分析數(shù)據(jù)提出了巨大挑戰(zhàn)。
新一代穿戴式醫(yī)療設(shè)備亟需更安全、高密度的非揮發(fā)性內(nèi)存
穿戴式醫(yī)療技術(shù)市場(chǎng)日新月異，華邦的安全NOR Flash產(chǎn)品以及高可靠度、高容量的QspiNAND Flash在開發(fā)上搶得先機(jī)，OEM可以信賴華邦，持續(xù)選用其推出的全新產(chǎn)品類型和技術(shù)，滿足市場(chǎng)對(duì)安全、低成本程序代碼與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的最新需求。
創(chuàng)造全新世界紀(jì)錄——英特爾傲騰持久內(nèi)存DAOS解決方案躍居I/O IO-500榜首
近日，英特爾傲騰持久內(nèi)存與英特爾開源分布式異步對(duì)象存儲(chǔ)（DAOS）解決方案相結(jié)合，一舉創(chuàng)造新的世界紀(jì)錄，并成功躍居Virtual Institute I/O IO-500榜單首位。
美光發(fā)布第三季度財(cái)報(bào) 內(nèi)存需求強(qiáng)勁拉動(dòng)股票上漲
內(nèi)存芯片制造商美光公司公布了超出華爾街預(yù)期的財(cái)報(bào)業(yè)績(jī)，使得股價(jià)在盤后交易中上漲了近6％。
Gartner：2019年全球半導(dǎo)體收入下滑12％ 英特爾重獲第一
根據(jù)Gartner公布的最終結(jié)果，2019年全球半導(dǎo)體收入總計(jì)4191億美元，比2018年下滑12％。
美光全球首款低功耗DDR5 DRAM芯片將搭載于小米高端智能手機(jī)
下一代內(nèi)存助力 AI 和 5G 應(yīng)用，功耗更低，數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度更快。
內(nèi)存主導(dǎo)半導(dǎo)體行業(yè)，同時(shí)推動(dòng)封裝工藝發(fā)展
2019年的Semicon大會(huì)上曝出不少有趣的消息。曾供職于英特爾、目前效力于Doller咨詢集團(tuán)的Ed Doller表示，目前生產(chǎn)出的大多數(shù)晶體管都被用于內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域，特別是DRAM與NAND閃存。
內(nèi)存和存儲(chǔ)急需變革，美光推出全系列產(chǎn)品應(yīng)對(duì)智能時(shí)代到來(lái)
過(guò)去幾十年IT環(huán)境一直是以CPU為中心，現(xiàn)在隨著IT環(huán)境向著多元化發(fā)展，計(jì)算架構(gòu)面臨CPU、GPU、NPU、FPGA、ASIC等加速優(yōu)化，存儲(chǔ)架構(gòu)面臨DRAM、NVM、SSD、HDD等多元技術(shù)的升級(jí)。
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